Micro LED的發(fā)展方興未艾，全彩化、巨量轉(zhuǎn)移良率、封裝測(cè)試等都是Micro LED成功量產(chǎn)并商業(yè)化路上的阻礙。近日，外媒報(bào)道日本名城大學(xué)與KAUST共同研發(fā)了像素密度為330PPI的單片疊層RGB氮化鎵銦（GaInN）Micro LED陣列，成為Micro LED全彩化技術(shù)上的又一新發(fā)展。

國(guó)內(nèi)外Micro LED全彩化突破

據(jù)上述研究人員表示，該單片疊層RGB氮化鎵銦（GaInN）Micro LED陣列可應(yīng)用在AR/VR/MR等頭戴智能設(shè)備上，這些設(shè)備所需的微米級(jí)像素顯示無(wú)法通過(guò)機(jī)械組裝技術(shù)制造，因此需要用到單片制造技術(shù)。

對(duì)于氮化鎵銦材料的應(yīng)用，研究人員解釋到，雖然基于氮化鎵銦的LED在較長(zhǎng)波長(zhǎng)下遇到了較大的效率問(wèn)題，但對(duì)于可見(jiàn)光譜里的紅光效率，氮化鎵銦已取得了新的進(jìn)展。此外，相較常用的紅光LED材料磷化鋁鎵銦，氮化鎵銦LED的發(fā)光效率受Micro LED尺寸縮小的影響較小。

▲（LED 多重堆疊結(jié)構(gòu)的橫截面示意圖）

除海外研究的新發(fā)展，五月份我國(guó)廈門(mén)大學(xué)也在全彩Micro LED顯示技術(shù)方面取得突破性進(jìn)展。

研究團(tuán)隊(duì)利用玻璃微孔陣列，將雙組分鈣鈦礦量子點(diǎn)應(yīng)用于藍(lán)光Micro LED色轉(zhuǎn)換層中，從而實(shí)現(xiàn)紅藍(lán)光發(fā)光強(qiáng)度和穩(wěn)定性的提升。這項(xiàng)研究從性能提升、工藝精簡(jiǎn)方面“雙管齊下”，突破當(dāng)前Micro LED紅光色轉(zhuǎn)換技術(shù)瓶頸，以更低成本實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量Micro-LED全彩顯示效果，推動(dòng)了我國(guó)Micro LED全彩顯示技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。

或成為AR/VR顛覆性革新

隨著國(guó)內(nèi)外單片集成全彩Micro LED顯示技術(shù)快速成熟，將極大地推動(dòng)AR行業(yè)的快速發(fā)展。

在過(guò)去LCoS、Micro OLED的亮度都無(wú)法滿足光波導(dǎo)鏡片的需求，但Micro LED微型顯示器兼具高分辨率、高像素密度、高亮度、低功耗等優(yōu)勢(shì)，是光波導(dǎo)鏡片更佳的搭配。單片全彩集成Micro LED微型顯示器或?qū)⑹茿R眼鏡最重要的核心顯示技術(shù)。